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　　1、CCD的基本工作原理CCD的基本工作原理CCD （Charged Coupled Device，电荷耦合器件）是由一系列排得很紧密的MOS电容器组成。它的突出特点是以电荷作为信号，实现电荷的存储和电荷的转移。因此，CCD工作过程的主体问题是信号电荷的产生、存储、传输和检测1。以下将分别从这几个方面讨论CCD器件的基本工作原理。 1.1 MOS电容器CCD是一种固态检测器，由多个光敏像元组成，其中每一个光敏像元就 是一个MOS （金属一氧化物一半导体）电容器。但工作原理与 MOS晶体管不同。CCD中的MOS电容器的形成方法是这样的2:在P型或N型单晶硅的衬底上用氧化的办 法生成一层厚度约为 10

　　2、0150nm的SiO2绝缘层，再在SiO2表面按一定层次蒸镀一金属 电极或多晶硅电极，在衬底和电极间加上一个偏置电压（栅极电压），即形成了一个 MOS电容器CCD 一般是以P型硅为衬底，在这种 P型硅衬底中，多数载流子是空穴，少数载流子是电 子。在电极施加栅极电压VG之前，空穴的分布是均匀的，当电极相对于衬底施加正栅压VG时，在电极下的空穴被排斥，产生耗尽层，当栅压继续增加，耗尽层将进一步向半导体 内延伸，这一耗尽层对于带负电荷的电子而言是一个势能特别低的区域，因此也叫做 势阱”。在耗尽状态时，耗尽区电子和空穴浓度与受主浓度相比是可忽略不计的，但如正栅压VG进一步增加，界面上的电子浓度将随着

　　3、表面势成指数地增长，而表面势又是随耗尽层宽度成平方率增加的。这样随着表面电势的进一步增加，在界面上的电子层形成反型层。而如果出现反型层，MOS就认为处于反型状态（如图 3 1所示）。显然，反型层中电子的增加和因 栅压的增加的正电荷相平衡，因此耗尽层的宽度几乎不变。反型层的电子来自耗尽层的电子一空穴对的热产生过程。 对于经过很好处理的半导体材料，这种产生过程是非常缓慢的。因此在加有直流电压的金属板上叠加小的交流信号时，反型层中电子数目不会因叠有交流信号而变化。1.2电荷存储 当一束光投射到 MOS电容器上时，光子透过金属电极和氧化层，进入 Si衬 底，衬底每吸收一个光子，就会产生一个电子 一空穴

　　4、对，其中的电子被吸引到电荷反型区存储。从而表明了 CCD存储电荷的功能。一个 CCD检测像元的电荷存储容量决定于反型区 的大小，而反型区的大小又取决于电极的大小、栅极电压、绝缘层的材料和厚度、半导体材料的导电性和厚度等一些因素。图32表示了 Si-SiO2的表面电势VS与存储电荷QS的关系。曲线的直线性好，说明两 者之间有良好的反比例线性关系，这种线性关系很容易用半导体物理中势阱”的概念来描述。电子所以被加有栅极电压 VG的MOS结构吸引到Si-SiO2的交接面处，是因为那里的 势能最低。在没有反型层电荷时，势阱的深度”与电极电压的关系恰如表面势VS与电荷QS的线（b）为反型层电荷填充势阱时，表面势收缩。当 反型层电荷足够多，使势阱被填满时，如图3 3（c）所示，此时表面势下降到不再束缚多余的电子，电子将产生 溢出”现象1.3电荷转移为便于理解在CCD中势阱电荷如何从一个位置移到另一个位置，取 CCD 中四个彼此靠得很近的电极来观察 三相CCD中电荷的转移过程假定开始时有一些电荷存储在偏压为10V的第二个电极下面的深势阱里，其他电极上均加有大于域值电压的较低电压（例如2V）。设图3 4 （a）为零时刻（初始时刻），过t1时刻后，各电极上的电压变为如图 3 4 （b）所示，第二个电极仍保持为 10V ,第三个电极上的 电压由2V变到10V，因这

　　6、两个电极靠得很紧（间隔只有几微米），他们各自的对应势阱将合并在一起。原来在第二个电极下的电荷变为这两个电极下的势阱所共有，如图3 4 （b）和3 4 （c）所示。若此后电极上的电压变为图3 4 （d）所示，第二个电极电压由10V变为2V,第三个电极电压仍为 10V,则共有的电荷转移到第三个电极下面的势阱中，如图 34 （e）。由此可见，深势阱及电荷包向右移动了一个位置。通过将一定规则变化的电压加到CCD各电极上，电极下的电荷包就能沿半导体表面按一定方向挪动。通常把CCD电极分为几组，每一组称为一相，并施加同样的时钟脉冲。CCD的内部结构决定了使其正常工作所需的相数。图 3-4所示的结构需要三相

　　7、时钟脉冲，其波形图如图3 4 （f）所示，这样的CCD称为三相CCD。三相CCD的电荷耦合（传输）方式必须在三相交迭脉冲的作 用下才能以一定的方向，逐个单元的转移。另外必须强调指出的是，CCD电极间隙必须很小，电荷才能不受阻碍地自一个电极下转移到相邻电极下。这对于图34所示的电极结构是一个核心问题。如果电极间隙比较大，两相邻电极间的势阱将被势垒隔开，不能合并，电荷也不能从一个电极向另一个电极转移。CCD便不能在外部时钟脉冲的作用下正常工作。1.4电荷的注入和检测 CCD中的信号电荷可以通过光注入和电注入两种方式得到。光注入就是当光照射CCD硅片时，在栅极附近的半导体体内产生电子一空穴对，其多数

　　8、载流子被栅极电压排开，少数载流子则被收集在势阱中形成信号电荷。而所谓电注入，就是CCD通过输入结构对信号电压或电流进行采样，将信号电压或电流转换为信号电荷。在此仅讨论与本课题有关的光注入法。 CCD利用光电转换功能将投射到CCD上面的光学图像转换为电信号图像”，即电荷量与当地照度大致成正比的大小不等的电荷包空间分布，然后利用移位寄存功能将这些电荷包自扫描”到同一个输出端，形成幅度不等的实时脉冲序列。其中光电转换功能的物理基础是半 导体的光吸收。当电磁辐射投射到半导体上面时，电磁辐射一部分被反射，另一部分透射， 其余部分被半导体吸收。 所谓半导体光吸收， 就是电子吸收光子并从一个能态跃迁到另一个

　　9、 较高能级的过程。我们这里将要涉及到的是价带电子越过禁带到导带的跃迁，和局域杂质或缺陷周围的束缚电子（或空穴）至IJ导带（获价带）的跃迁。他们分别称为本征吸收和非本征 吸收。CCD利用处于表面深耗尽状态的一系列MOS电容器（称为感光单元或光敏单元）收集光产生的少数载流子。这些收集势阱是相互隔离的。由此可见，光转换成电的过程实际上还包括对空间连续的光强分布进行空间上分离的采样过程。另外，衬底每吸收一个光子， 反型区中就多一个电子， 这种光子数目与存储电荷的定量关系 正是CCD检测器用于对光信号作定量分析的依据。转移到CCD输出端的信号电荷在输出电路上实现电荷/电压（电流）的线性变换，称之为电荷检

　　10、测。从应用角度对电荷检测提出的要求是检测的线性、检测的增益和检测引起的噪声。针对不同的使用上的要求， 有几种常用的检测电路， 如栅电容电荷积分器、 差动电路积分器以及 带浮置栅和分布浮置栅放大器的输出电路。这里就不一一叙述了。CCD的光谱分析特性与原理（转自：我心飞翔日志）2.1电荷转移效率（CTE ） CCD以电荷作为信号，所以电荷信号的转移效率就成为其最重 要的性能之一。把一次转移之后，到达下一个势阱中的电荷与原来势阱中的电荷之比称为电 荷转移效率。好的 CCD具有极高的电荷转移效率，一般可达0.9999953,所以电荷在多 次转移过程中的损失可忽略不计。例如，一个有 2048像元的CCD,

　　11、其信号电荷的总的 电荷转移效率为 0.9999952048，即0.9898，损失率只有约 0.1%。常用固态光谱检测器量子效率对比2.2量子效率（QE ） 4图3 5比较了典型的 PMT （光电倍增管）、PDA （光电二极管阵 列）、CID （电荷注入器件）和 CCD的量子效率。可见，CCD的量子效率大大优于 PDA和 CID ,在400700nm波段优于PMT。但是，不同厂商制造的 CCD在几何尺寸、制造方法、 材料上不一样，结果它们的QE差别较大。如有的CCD只在350900nm波段的QE达10% 以上，有的CCD在2001000nm波段都有很高的量子效率。造成QE下降的根本原因是CCD

　　12、结构中的多晶硅电极或绝缘层把光子吸收了，尤其是对紫外部分的光吸收较多， 这部分光子不产生光生电荷。许多线阵CCD对紫外光的响应较差就是这一个原因。采用化学蚀刻将硅片减薄和背部照射方式，能够大大减少由吸收导致的量子效率损失。背部照射减薄的 CCD在真空紫外区的工作极限可达1000?。2.3暗电流CCD在低温工作时，暗电流非常低，暗电流是由热生电荷载流子引起的，冷却 会使热生电荷的生成速率大为降低3。但是CCD的冷却温度不能太低，因为光生电荷从各检测元迁移到放大器的输出节点的能力随温度的下降而降低。制冷到150 K的CCD暗电流小于0.001个电子/检测元/秒5。2.4动态范围动态范围DR的

　　13、定义为： 其中VSAT为饱和输出电压，VDRK为有效像元的平均暗电流输 出电压。在正常工作条件下，CCD检测器的所有像元经历同时曝光，式（3.1 ）表示的是单个检测像元的动态范围，即简单动态范围。CCD的简单动态范围非常大， 宽达10个数量级。以7500?的红光光子为例，CCD可在1毫秒积分时间内对光强达每秒5 X109个光子的光束响应。可以对每秒 7刈0-2个光子的光源响应。而且在整个动态范围响应内，都能保持线 性响应。这一特性对光谱的定量分析具有特别的意义。但在一些光谱分析中，如AES （原子发射光谱）中，实际的动态范围达不到那么大的值。一种扩展CCD动态范围的方法是根据光的强弱改变每次测量的积分时间7, 8。强信号采用短的积分时间，弱信号采用长的积分时间。这种方法测量强信号旁的弱信号非常不利，存在Blooming （溢出）的问题，特别是对于 AES。通过改进 CCD制作流程与工艺产出的性能 优秀的CCD已在不同程度上解决了这个问题。

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